Samsung готовится к производству чипов на основе 3-нм техпроцесса

Последний финансовый отчет Samsung показал, что прибыль компании резко упадет в этом квартале, снизившись на 9% в годовом исчислении и на 38,5% по сравнению с предыдущим кварталом. Основной причиной резкого снижения прибыли является вялый бизнес смартфонов компании и общее снижение цен на чипы памяти. Такая тенденция сохранится до конца первой половины этого года. Чтобы в долгосрочной перспективе не допустить падения акций, Samsung уже начала укреплять свой литейный бизнес. По словам представителей компании, во второй половине этого года начнется массовое производство 7-нм чипов на основе литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV), а в 2021 году Samsung будет готов к производству чипов на основе 3-нм техпроцесса по технологии GAAFET.

 

 

 

Райан Санхьюн Ли, вице-президент литейного бизнеса Samsung, сказал, что они разрабатывают технологию GAA (Gate-All-Around) с 2002 года, а также изобрели MBCFET (Multi-Bridge-Channel Field-Effect Transistor), что позволяет за счет своей архитектуры значительно повысить производительность транзисторов. В предыдущем году Samsung заявила, что будет использовать 4-нм техпроцесс GAAFET уже в 2020 году, на что эксперты в данной области отреагировали откровенно скептически, однако сейчас они же отмечают, что Samsung действительно может выпустить чипы GAAFET раньше, чем ожидалось.

 

Samsung

Автор:
Богдан Сокольник

Источник: andro-news.com

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий

Вы должны быть авторизованы, чтобы разместить комментарий.